长鑫存储申请套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法专利，实时校正套刻误差的前馈参数
金融界2023年12月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法“，公开号CN117192902A，申请日期为2022年5月。
专利摘要显示，本公开提供一种套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法，套刻校正方法包括：获取第一相对变化率a和第二相对变化率b、第二膜层图案相对于第一膜层图案的第一工艺余量M1、第三膜层图案相对于第一膜层图案的第二工艺余量M2以及第三膜层图案相对于第二膜层图案的第三工艺余量M3米勒积分电路、第一套刻误差和第二套刻误差的初始值X0、Y0，根据第X0和Y0计算得到第三套刻误差的初始值Z0；获取第一套刻误差的当前值X1绝缘栅场效晶体管，在X1≤M1时，根据X1和X0计算第一套刻误差的变化量DX1；设DZ1等于零凯时K66国际首页，根据DX1失效、a和b，确定第二套刻误差的第一预期变化量DY1；在Y0+DY1≤M2时套刻，根据DY1，确定第二套刻误差对应的前馈参数的校正值。本公开实施例可以在光刻制程中实时校正套刻误差的前馈参数。